贵州统招专升本
《模拟电子技术基础》第五版 童诗白
练习题（一）
〖选择题〗
1.以下说法正确的是（ ）。
A．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体
B．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电
C．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的
D．若耗尽型N沟道MOS管的uGS大于零，则其输入电阻会明显变小
2当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（ ）。
A．增大
B．不变
C．变小
3.PN结加正向电压，空间电荷区将（ ）。
A．变窄
B．基本不变
C．变宽
5.UGS＝0时，能够工作在恒流区的场效应管有（ ）和（ ）。
A．结型管
B．增强型MOS管
C．耗尽型MOS管
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